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    肖特基勢壘二極管介紹
    時間: 20-08-03 15:37 瀏覽次數:315

    肖特基勢壘二極管,又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成,有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。

    為了在真空中從金屬或半異體上放出電子,就必須給電子施加一一定的能量,將這個能量稱為功函數,不同種類的金屬和半導體擁有各自不同的固有功函敷值。使兩種材料接觸,

    電子會從功函數小的材料向功函數大的材料方向流動。如果使n型半導體與比其功函數大的金屬材料接觸,則與pn結情況一樣從半導體流出電子、而在n型半導體中形成耗盡層,產生接觸電勢。

    由于耗盡層使得在金屬和半導體的接觸處產生了整流作用,所以稱這樣的整流二極管為肖特基勢壘二極管(Schotky Barrier Diode, SBD)。

    另外,當n型半導體與比其功函數小的金屬相接觸時,由于電子從金屬向半導體的方向流動,所以不會形成耗盡層,也不發生整流作用,成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)。

    SBD是單極型器件,由于不發生所謂的少數載流子存儲效應,所以電流極性反轉時反向恢復快,適用于高速開關。但是,對非常高速的開關而言,為了使它也形成耗盡層,對應接合容量的過渡電流可能會引起些問題。另-方面,正向壓降低也是SBD的優點。 

    然而,用于高壓的器件制作困難,因此SBD主要限定用于50V以下的低壓高速開關場合。

    肖特基勢壘二極管


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